NVMFS5H610NLWFT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVMFS5H610NLWFT1G |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | T8 60V LOW COSS |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.00 |
10+ | $0.891 |
100+ | $0.6945 |
500+ | $0.5737 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.6W (Tc), 52W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 13A (Ta), 48A (Tc) |
MOSFET N-CH 60V 5DFN
MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
T8 60V LOW COSS
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 5DFN
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 5DFN
MOSFET N-CH 60V 5DFN
MOSFET N-CH 100V 132A 5DFN
MOSFET N-CH 60V 250A SO8FL
MOSFET N-CH 100V 5DFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NVMFS5H610NLWFT1Gonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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